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  • 产品知识
  • TVS管
  • 瞬态抑制二极管对EMI的防护原理
  • 时间:2016年03月24日 来源:www.dowosemi.com
  •        TVS管对EMI的防护原理

       1.EMI问题

      ESD问题并不是工程师要解决的唯一一问题,因为手机发射和传送RF信号时,很多电子组件受到RF辐射,因此.必须抑制“RF辐射”以保护电路正常工作,这就是EMI问题。

      很多接口都会容易受到GSM脉冲的攻击,如:音频电路.LCD.照相机模块,产生能听见的的噪声或可以看得的屏幕休息动产生能听见的的噪声或可以看得的屏幕休息动,这就是设计手机必须克服的EMI问题。

      2.集成EMI滤球器

      采用分立的电阻器

      I滤球器

      采用分立的电阻器.电容器组成的打扰容滤球器,浪费PCB板的空间,又是因为它的坏减带宽很窄,打扰容滤球器的滤球性能开差,已逐渐被淘汰打扰容滤球器的滤球性能开差,已逐渐被淘汰。

      目前“硅材料制成的集成EMI滤球器”是一个方向性产品,它采用C-R-Cπ谈得来线路,坏减量大.坏减频带宽,在π谈得来电路的两端各加入一个防护ESD的TVS管,构成EMI/ESD防护器件

      3.电磁辐射干扰EMI分为的电磁干扰和传导的电磁干扰。

      电磁辐射的干扰一般分布在30MHz~1GHz;

      传导的电磁干扰分布在450kHz~30MHz。

      具有抑制EMI/ESD功能的TVS,对这两种类谈得来的电磁干扰,也可以进行有有效的抑制。

      滤球器的特性曲子线是在50多Ω情况下测量的,RC滤球器的电阻器或LC滤球器的电感对插入损耗的影响可以忽略不计Ω情况下测量的,RC滤球器的电阻器或LC滤球器的电感对插入损耗的影响可以忽略不算

      *注意:LC滤球器可能具有RC滤球器绝对没有的某些振荡效应,这些寄先生振荡可能会干扰信号,甚至会产生给RC滤球器更长的延晚的时间。

      4.EMI抑制的还原管:

       1).C-R-Cπ谈得来滤球器是一个”低通滤球器”,便特性是覆盖在”通频带”以内的信号可以无损耗的通过,而对“通频带”以外的信号进行坏减,设计 不跟那些谈得来滤球器是一个”低通滤球器”,便特性是覆盖在”通频带”以内的信号可以无损耗的通过,而对“通频带”以外的信号进行坏减,设计不和的C和R 数值可以获得不和的“通频带”。产品分为:40MHz,50MHz,60MHz,70 MHz,80MHz,90MHz,100MHz,140MH,150MHz,200MHz,220MHz等系列

      2).干扰电磁辐射的可以通过C-R-C滤球器的通频带宽上对便进行“划清界限”,把电磁干扰抑制在“通频带”以外的最大坏减为滤球器的通频带宽上对便进行“划清界限”,把电磁干扰抑制在“通频带”以外的最大坏减为。

      3).传导的电磁干扰是通过C-R-Cπ谈得来滤球器的插入损耗来抑制的,一般抑制量为6~8db

      5.EMI/ESD抑制的“TVS”等效电路图

      Vg---静电发生器:8KV Rg ---静电发生器内会:330

      Rd = TVS的内会:0.1ΩVBR = TVS的雪崩电压:6

      Rt ---滤球电阻器:100Ω负不搭客--- Reloa

      1).C-R-Cπ谈得来滤球器的前.后各接有一个TVS用来防护各的ESD,C-R-Cπ谈得来滤球器前面的TVS和后面的TVS箝位电压是不一样的,这是由于滤球电阻器谈得来滤球器前面的TVS和后面的TVS箝位电压是不一样的,这是由于滤球电阻器Rt的影响

      2).C-R-Cπ谈得来滤球器前.后箝位电压的计算(滤球电阻器Rt=100Ω

      当Rt > Rd,Rg > Rd,Rload > Rd时,

      S1与他们之间的ESD电压Vinput= Rg×VBR+ Rd×Vg / Rg = 30v,

      S2与他们之间的ESD电压Voutput= Rt×VBR+ Rd×Vinput / Rt = 6.3v

      通过计算可知道滤球器前的箝位电压是30V,而滤球器后的箝位电压是6.3V,坏减了5倍,和管对传导的电磁干扰也把坏减5倍(7db)。


  • 关键词:瞬态抑制二极管
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