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  • 产品知识
  • TVS管
  • 瞬变抑制二极管与压敏电阻的比较
  • 时间:2015年11月17日 来源:www.dowosemi.com
  •   在电子应用领域中必不可少地要对静电放电(IEC61000-4-2)、瞬态电压、喀啦声(IEC61000-4-4)EFT,和浪涌电压抗扰 度(IEC61000-4-5)进行防护,从而保护电子电路的安全和可靠性,在保护领域中,有两种保护元件,一个是具有雪崩特性的TVS瞬变抑制二极管半 导体二极管,一个是多层压敏电阻,为了合理使用,需对TVS瞬变抑制二极管和压敏电阻MOV进行比较,以求正确选用,达到产品设计的优化选择。

       东沃电子的TVS瞬变抑制二极管半导体二极管,设计有高灵敏度的N/P结,它的特性是产生雪崩效应,效应与半导体的结面积成正比,通过控制结面积的掺杂 浓度和基片的电阻率使它可以吸收大量的瞬态电流,产生雪崩特性,从而可控制浪涌电流的能力,是一种特殊制造工艺的高科技产品。

      多层压敏电阻是将氧化锌材料压入到长方形中,形成多晶粒结构,分成多层以形成更加均匀一致的控制区,通过导通阻扰的变化实现对浪涌电流的吸收能力,是一种特殊元件。

       雪崩击穿二极管TVS瞬变抑制二极管和多层氧化锌压敏电阻都靠改变自身的阻扰特性来进行静电放电,瞬态电压和浪涌电压的控制,而主要差异是导通后的阻扰,TVS瞬变抑制二极管有高灵敏度的N/P结进行控制,其导通阻扰很低,而压敏电阻MOV的导通阻扰要比TVS瞬变抑制二极管高出许多,从而导致箝位电 压、箝位比率的差异。


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