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  • TVS瞬变抑制二极管的使用技巧
  • 时间:2015年11月17日 来源:www.dowosemi.com
  •        TVS瞬变抑制二极管的使用技巧有如下几点

           1、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。

      2、瞬变抑制二极管额定反向关断VWM 应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM 太低,器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压,并行连接分电流。

      3、 瞬变抑制二极管 的最大箝位电压VC 应小于被保护电路的损坏电压。

      4、在规定的脉冲持续时间内,瞬变抑制二极管的最大峰值脉冲功耗PM 必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定最大箝位电压后,其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。

      5、对于数据接口电路的保护,还必须注意选取具有合适电容C 的瞬变抑制二极管 器件。

      6、根据用途选用瞬变抑制二极管 的极性及封装结构。交流电路选用双极性瞬变抑制二极管较为合理;多线保护选用瞬变抑制二极管 阵列更为有利。

       7、温度考虑。瞬态电压抑制器可以在-55~+150℃之间工作。如果需要瞬变抑制二极管在一个变化的温度 工作,由于其反向漏电流ID是随增加而增大;功耗随瞬变抑制二极管结温增加而下降,从+25℃到+175℃,大约线性下降50%雨击穿电压VBR 随温度的增加按一定的系数增加。因此,必须查阅有关产品资料,考虑温度变化对其特性的影响。


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