近年来，消费者对手机、 计算机、数码相机等便携电子产品的功能要求越来越高，相应的功能性I/O端口也随之越来越多。消费者在电缆连接和断开时将有更大可 能触摸到I / O连接器的引脚。在正常工作条件下，触摸一个暴露的端口或接口，可以导致超过30kV以上电压的放电。小线宽的半导体器件由于不能承受过高的电压、过高电 流或者是两者的结合而被损坏，过高的电压可能会导致栅氧化层被击穿，而过高的电流会造成结发生故障和金属连线熔化。
在ESD保护器件的选择方面，传统上常用的ESD保护器件有齐纳二极管、金属氧化物可变电阻（MOV）和TVS瞬态电压抑制二极管
确保信号完整性对ESD保护器件的设计要求首先要保证有很高的抗静电放电能力，其次就是要确保信号完整性的要求的足够低的电容、更高的带宽及ESD保护器件批次的一致性。
案例：
1. 谁伤害了你的硬件：剖析静电放电现象
摘要：近期i865主板频频发生南桥芯片烧毁的事件，这一事件吸引了业界对静电放电（ElectroStatic Discharge，ESD）问题的关注。那么ESD是怎样造成硬件损坏的？厂商会采取哪些措施来防范ESD？电脑用户在使用过程中该如何避免ESD的危害呢？
2. 拒绝慢性毒药：主板静电造成危害详解
摘要：随着电子制作工艺的发展与改良，如今集成电路越来越密集，如国外微电路制造已普遍采用0.8-1.0um， 国内也达到2-3um的水平，微细工艺的快速发展更突显ESD静电放电对电子工业的危害，ESD静电放电对精密半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层；损毁MOSFET和CMOS元件的栅极；CMOS器件中的触发器锁死；造成反向偏置和正向偏置的PN结短路；融化有源器件内部的焊接线或铝线。